前处理：包括除油、微蚀等步骤，去除基板表面的有机物和氧化层，粗化表面以提高镀层附着力。对于罗杰斯等特殊基材，可能还需要进行等离子体处理。 种子层沉积：采用化学镀或物相沉积（PVD）方法，在基板表面形成一层薄的导电种子层，通常为铜或镍，厚度约 0.1-0.5μm。
工艺适配相关故障 线路桥连 / 短路：超细线路（≤10μm 线宽）间出现镀层粘连，多因光刻胶显影不彻底、电镀时金属离子过度沉积，或镀液整平性差。 盲孔 / 埋孔填充不良：孔内出现空洞、凹陷，影响层间导通和散热。成因是镀液流动性不足、电流密度未针对深宽比优化，或添加剂中整平剂含量不足。 基材损伤：特殊基材（如 PTFE）出现翘曲、开裂，多因电镀温度过高（超过基材耐热极限），或前处理化学药剂腐蚀基材表面。
种子层沉积：构建导电基底 采用物相沉积（PVD）或化学镀，在绝缘基材表面沉积超薄导电层（铜或镍）。 种子层厚度控制在 0.1-0.5μm，要求覆盖均匀、无针孔，为后续图形电镀提供稳定导电通道。 沉积后需做简易附着力检测，避免种子层脱落影响后续工艺。
图形电镀：加厚功能镀层 优先采用脉冲电镀或周期反向电镀，在线路裸露区域沉积铜层（厚度 5-15μm），保证镀层结晶细密、低电阻率。 关键区域（如射频接口、连接器）需进行选择性电镀，额外沉积金、银等低损耗镀层，厚度根据需求控制在 0.1-3μm。 电镀过程中严格控制电流密度（1-5A/dm²）、镀液温度（20-30℃）及搅拌速度，确保镀层均匀性与平整度。